陈小兵
【姓名】 陈小兵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs单晶,半绝缘,半绝缘砷化镓,分布,整锭热退火,单晶,热退火,热稳定性,均匀性,单晶片,迁移率,研究与进展,方块电阻,固体电子学,霍尔浓度,热不稳定,电阻率,SI-GaAs,绝缘特性,样片,良好...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]谢自力，夏德谦，陈宏毅，朱志明，朱顺才，陈小兵.半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究[J]半导体技术.1994,(06)
[2]谢自力,陈宏毅,陈小兵.半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火[J]半导体技术.1993,(04)
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