陈小宾
【姓名】 陈小宾
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶,电子器件,GaAsIC,南京,研究所,均匀性,SI－GaAs,高压单晶炉,三温区,砷化镓集成电路,电阻率,电学参数,电子迁移率,新料,参数指标,正源,位错密度,迁移率,晶体生长,加热系统,
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]宋群厚,陈宏毅,赵周英,吴颖炜,朱志明,陈小宾,戴杰,竹正源.φ75mmSI-GaAs单晶的研制[J]固体电子学研究与进展.1997,(01)
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