陈硕颀
【姓名】 陈硕颀
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs功率MESFET,功率GaAs,MESFET,单片功率放大器,掺杂分布,有源层,线性度,GaAs,非均匀,电子器件,大信号状态,匹配电路,管芯,小信号模型,I—V特性,单向化模型,电路拓扑,栅...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/4 0 2 2 1 77
中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]陈硕颀,林金庭,程思琪,王世林.新型非均匀有源层掺杂分布改善功率GaAs MESFET的线性度[J]固体电子学研究与进展.1988,(02)
[2]陈硕颀,林金庭,程思琪,王世林.GaAs功率MESFET输出线性度的改进[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[3]顾炯,陈硕颀,王福臣,过常宁,林金庭.两级GaAs单片功率放大器[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
[4]顾炯,陈硕颀,王福臣,过常宁,林金庭.两级GaAs单片功率放大器[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
更多