陈世鸯
【姓名】 陈世鸯
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MESFET,GaAs,单片低噪声放大器,C波段,最小噪声系数,栅条,噪声系数,栅长,微波性能,螺旋电感,两级放大器,蚀沟,沟道,迁移率,MMIC,饱和电流,导体,S参数,匹配元件,器件结构,电子器件...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]陈世鸯,陈克金.18GHz最小噪声系数1.7dB GaAs MESFET[J]固体电子学研究与进展.1987,(03)
[2]陈克金,吴庆芳,莫火石,陈继义,陈世鸯,周清.C波段GaAs单片低噪声放大器[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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