安姽
【姓名】 安姽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低频噪声,MESFET,MESFET器件,GaAs,复合噪声,机理研究,HEMT器件,深能级,样管,实验研究,峰值频率,器件噪声,界面态,高能电子辐照,Trap,噪声测量,辐照后,栅压,沟道,栅偏,等...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】
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[1]安姽,顾世惠,包其伦.GaAs MESFET低频噪声机理的研究[J]固体电子学研究与进展.1988,(02)
[2]安姽,顾世惠,包其伦.GaAs MESFET器件低频噪声机理研究[J]固体电子学研究与进展.1988,(04)
[3]安姽,顾世惠,包其伦.GaAs MESFET器件低频噪声机理的实验研究[J]固体电子学研究与进展.1989,(03)
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