张耀辉
【姓名】 张耀辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 R-G电流,栅控二极管,界面陷阱,敏感性,SOIMOSFET器件,埋氧层,MOS器件,敏感性分析,表征,英文,子学,微电,北京大学,中国公司,Interface,硅膜,电流峰值,Trap,界面陷阱密度...
【工作单位】 摩托罗拉(中国)电子有限公司
【曾工作单位】 摩托罗拉(中国)电子有限公司;
【所在地域】 北京
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[1]何进,张兴,黄如,黄爱华,卢震亭,王阳元,张耀辉,余山,贾林.栅控二极管R-G电流法表征 SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析(英文)[J]半导体学报.2001,(10)
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