许志
【姓名】 许志
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低介电常数材料,厚度,MOCVDTiN,W,填充能力,绝缘栅,氮处理技术,栅氧化,应用材料,集成电路工艺,MOCVD,TiN薄膜,电路工艺,超大规模集成,处理技术,介电常数,等离子处理,氮化处理,栅漏...
【工作单位】 美国应用材料中国有限公司
【曾工作单位】 美国应用材料中国有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]方志军;汤继跃;许志;.集成电路中金属硅化物的发展与演变[J]集成电路应用.2008,(09)
[2]孙志国,许志,利定东.MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响[J]半导体技术.2003,(11)
[3]赵智彪,许志,利定东.低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用[J]半导体技术.2004,(02)
[4]黄英,许志,KIM Sung Lak,ZHAO Richard,利定东.DPN MOS绝缘栅氮处理技术[J]半导体技术.2004,(05)
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