孙志国
【姓名】 孙志国
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体和集成电路方面的工作
【发表文献关键词】 厚度,MOCVDTiN,W,填充能力,MOCVD,TiN薄膜,等离子处理,零点漂移,压力表,氮元素,应用材料,水汽,大气环境,氢元素,等离子,侧壁,扩散阻挡层,离子强度,连接层,压力变化曲线,
【工作单位】 美国应用材料中国有限公司
【曾工作单位】 美国应用材料中国有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]孙志国,许志,利定东.MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响[J]半导体技术.2003,(11)
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