利定东
【姓名】 利定东
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低k介电层,低介电常数材料,铜布线工艺制程,RC延迟,双嵌入,MOCVDTiN,W,厚度,填充能力,内导线,集成电路工艺,SEMVisionG2FIB,缺陷,DRSEM,绝缘栅,氮处理技术,应用材料,...
【工作单位】 美国应用材料中国有限公司
【曾工作单位】 美国应用材料中国有限公司;
【所在地域】 上海
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[1]利定东,濮胜.双嵌入式低k介电层/铜工艺技术[J]半导体技术.2003,(03)
[2]孙志国,许志,利定东.MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响[J]半导体技术.2003,(11)
[3]赵智彪,许志,利定东.低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用[J]半导体技术.2004,(02)
[4]李文胜,江洪波,金成洛,利定东.新一代DRSEM系统SEMVisionG2 FIB简介[J]半导体技术.2004,(04)
[5]黄英,许志,KIM Sung Lak,ZHAO Richard,利定东.DPN MOS绝缘栅氮处理技术[J]半导体技术.2004,(05)
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