刘锦成
【姓名】 刘锦成
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 NTD硅,电子辐照,缺陷能级,少数载流子寿命,少子寿命,高阻,能级,DLTS谱,双空位,俘获截面,复合中心,结二极管,磷掺杂,深能级瞬态谱,二极管反向恢复,荷电态,n型,分析讨论,硅单晶,断面电阻率,
【工作单位】 洛阳单晶硅有限责任公司
【曾工作单位】 洛阳单晶硅有限责任公司;
【所在地域】
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[1]戴培英,王国梁,刘锦成,姚天光.电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命[J]固体电子学研究与进展.1991,(02)
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