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林新明
【姓名】
林新明
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
水平沟道,场控器件,LFCT,场控晶闸管,晶闸管,JFET,高阻,V型槽,阻断增益,正向阻断电压,栅极,阳极,直沟,正向电压,关断电流,V型槽结构,CT剖面,栅极区,正向,晶向,
【工作单位】
杭州市八达微波技术器件厂
【曾工作单位】
杭州市八达微波技术器件厂;
【所在地域】
浙江杭州
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
0
/
3
0
2
0
1
74
文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到2篇
[1]郑海东,叶润涛,林新明.
高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管
[J]微电子学.1992,(06)
[2]郑海东;叶润涛;林新明;.
水平沟道场控晶闸管的设计与制作
[J]科技通报.1993,(03)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]沈发平;林新明;.
S波段3W GaAs FET脉冲功率放大器
[A].1993年全国微波会议论文集(下册).1993-10-25
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
陈珉
浙江大学
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
郑海东
浙江大学
1
叶润涛
浙江大学
1
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