胡汛
【姓名】 胡汛
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;建筑科学与工程;
【研究方向】
【发表文献关键词】 填充因子,太阳电池,池板,并联电阻,光电流,非晶硅太阳电池,正向电压,SnO_2薄膜,开路电压,太阳能电,转换效率,CVD法,Z膜,a-Si,背电极,方块电阻,等效串并联电阻,克罗,太阳能利用率,a-...
【工作单位】 哈尔滨-克罗拉太阳能电力公司
【曾工作单位】 哈尔滨-克罗拉太阳能电力公司;
【所在地域】 黑龙江哈尔滨
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[1]王瑛,王铁流,胡汛.非晶硅太阳电池方阵低光照条件下光能利用率的研究[J]黑龙江大学自然科学学报.2000,(01)
[2]胡汛,张建喆,王瑛.大面积a-Si∶H太阳电池背电极性能实验与分析[J]电源技术.2001,(05)
[3]胡汛,张建喆,王瑛.大面积太阳电池特性曲线参数拟合[J]自动化技术与应用.2001,(04)
[4]孙光伟,蒋志坚,刘晓峰,胡汛.建筑中太阳能的应用技术[J]低温建筑技术.2002,(02)
[5]胡汛,胡宏勋.大面积单结 a-Si:H 太阳电池方阵现场稳定性的评价与测试方法[J]太阳能学报.1996,(02)
[6]殷德生,孟昭智,周庆明,许广文,王克俭,张辉,邹邦涛,胡汛.大面积a-Si:H太阳电池[J]太阳能学报.1989,(04)
[7]殷德生,许广文,王兆芳,王克俭,周庆明,胡汛.CVD法大面积SnO_2薄膜的沉积[J]太阳能学报.1990,(02)
[8]殷德生,王兆芳,胡汛,周庆明,于化丛,许广文,王克俭.并联电阻及光电流随正向电压变化对a-Si:H集成太阳电池填充因子的影响[J]太阳能学报.1990,(02)
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