李中江
【姓名】 李中江
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 大功率场效应管,沟道区,杂质浓度,VMOS,工作电流,VDMOS,沟道,体区,V型槽,半导体功率器件,栅氧化层,栅氧化,元胞,场效应晶体管,介电击穿,晶闸管,达林顿,外延层,版图设计,漂移区,发展概况...
【工作单位】 国营第八七七厂
【曾工作单位】 国营第八七七厂;
【所在地域】
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[1]李中江,郭印文,段力军,姚勤泽,薛发龙.工作电流达10A的VN系列VVMOS大功率场效应管的设计及制造[J]半导体技术.1985,(05)
[2]李中江,段力军.沟道区杂质浓度不均匀分布的等效因子[J]半导体技术.1987,(01)
[3]李中江.半导体功率器件发展概况[J]半导体技术.1989,(03)
[4]李中江,夏俊峰,刘美溶,薛发龙.高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计[J]半导体技术.1989,(06)
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