段力军
【姓名】 段力军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 大功率场效应管,输入电容,VMOS,沟道区,杂质浓度,工作电流,沟道,体区,V型槽,功率场效应管,栅氧化层,改善设计,栅氧化,电流容量,介电击穿,外延层,漂移区,不均匀分布,阈电压,费米,PN结,雪崩...
【工作单位】 国营第八七七厂
【曾工作单位】 国营第八七七厂;
【所在地域】
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[1]李中江,郭印文,段力军,姚勤泽,薛发龙.工作电流达10A的VN系列VVMOS大功率场效应管的设计及制造[J]半导体技术.1985,(05)
[2]李中江,段力军.沟道区杂质浓度不均匀分布的等效因子[J]半导体技术.1987,(01)
[3]段力军.对VN系列VMOS功率场效应管输入电容的改善设计[J]半导体技术.1987,(05)
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