赵磊
【姓名】 赵磊
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaN,量子阱激光器,交叉饱和,面密度,载流子,增益系数,半导体激光器,饱和系数,驰豫时间,饱和特性,饱和效应,场频率,能带结构,准费米能级,表达式,半导体照明,计算结果,跃迁矩阵元,理论模型,光子能...
【工作单位】 广州市连线科技有限公司
【曾工作单位】 广州市连线科技有限公司;
【所在地域】 广东广州
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[1]韩乐,赵磊.GaN基量子阱激光器交叉饱和特性的计算与分析[J]华南理工大学学报(自然科学版).2005,(08)
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