邹建和
【姓名】 邹建和
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 集成电路设备的研究与维护
【发表文献关键词】 溅射沉积功率,晶片,溅射,辉光放电,放电气体,溅射工艺,沉积功率,碎片,靶原子,溅射机,起弧,强电场,加热温度,金属薄膜,旋转盘,碎片率,铬靶,热应力,动能,作用力,
【工作单位】 广东省深圳市深爱半导体有限公司
【曾工作单位】 广东省深圳市深爱半导体有限公司;
【所在地域】 广东深圳
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[1]邹建和.溅射工艺对晶片碎片的影响[J]半导体技术.2004,(04)
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