颜远全
【姓名】 颜远全
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反应磁控溅射,二氧化硅特性,在线联镀,ITO,SiO2,反应溅射,镀膜室,ITO膜,硅靶,透过率,中频,氧化态,硅薄膜,直流溅射,沉积速率,SCCM,靶电压,SiO_2膜,二氧化,溅射制备,射频溅射,...
【工作单位】 广东省深圳市豪威真空光电子股份有限公司
【曾工作单位】 广东省深圳市豪威真空光电子股份有限公司;
【所在地域】 深圳
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[1]许生,侯晓波,范垂祯,赵来,周海军,吴克坚,高文波,颜远全,查良镇.硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究[J]真空.2001,(05)
[2]许生,侯晓波,范垂祯,赵来,周海军,吴克坚,高文波,颜远全,查良镇.中频反应溅射SiO_2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀[J]真空.2002,(05)
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[1]许生;颜远全;.ITO薄膜性能及制成技术的发展[A].TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2003-09-01
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