U．M．Gosele
【姓名】 U．M．Gosele
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SOI,智能剥离,智能剥离SOI,离子注入,微结构分析,SOI材料,火行为,气泡层,剥离区,硅单晶,样品表,SOI结构,新材料,顶层硅,光热转换,微气泡,HREM,BESOI,光滑表面,硅膜,
【工作单位】 德国马克斯-普朗克微结构物理研究所
【曾工作单位】 德国马克斯-普朗克微结构物理研究所;
【所在地域】
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[1]张苗,林成鲁,陈立凡,王鲁闽,K．Gutjahr,U．M．Gosele.硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析[J]固体电子学研究与进展.1998,(02)
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