范朝勋
【姓名】 范朝勋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超突变结,空间电荷区,超突变,P-N结,杂质分布,突变结,耗尽层宽度,外延层,高端,耗尽层电容,轻掺杂,低端,变容管,优值,雪崩击穿电压,双扩散法,器件设计,陡度,理论曲线,结面积,
【工作单位】 成都国营九七零厂
【曾工作单位】 成都国营九七零厂;
【所在地域】
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[1]范朝勋.超突变P-N结空间电荷区[J]半导体技术.1979,(Z1)
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