常青
【姓名】 常青
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅片键合与减薄,SOI,外延层转移,智能剥离,注氧隔离,多孔硅,SOI材料,顶部硅层,氢退火,制备技术,硅膜,硅片键合,硅层,外延层,预焙,金属研究,注氧,外延生长,离子注入,半导,
【工作单位】 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司;
【所在地域】 北京
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[2]库黎明;闫志瑞;索思卓;常青;周旗钢;.300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析[J]微电子学.2008,(03)
[3]冯泉林;王敬;何自强;常青;周旗钢;.快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响[J]微电子学.2008,(04)
[4]肖清华,屠海令,周旗钢,王敬,常青,张果虎.SOI材料的制备技术[J]稀有金属.2002,(06)
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