郑安生
【姓名】 郑安生
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;化学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Gasb,单晶,GaSb单晶,MLEC,锑化镓,水平磁场,p型,GaSb,磷化镓,掺锌,EPD,有效分凝系数,Ⅲ-Ⅴ族半导体,电学参数,扫描透射电镜(STEM),扫描电镜(SEM),缺陷,金属研究,单...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]郭立;赵永田;石红春;曹波;刘宇阳;陈观通;郑安生;马远飞;林泉;刘晓华;.烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响[J]硅酸盐学报.2022,(12)
[2]朱显超;林泉;马远飞;霍承松;冯德伸;郑安生;.高纯锗晶体的研究进展[J]稀有金属.2020,(08)
[3]边义午;郑安生;林泉;龙彪;张廷慧;.VGF法GaAs单晶生长中热通量对固液界面形状的影响[J]稀有金属.2019,(10)
[4]黎建明,屠海令,郑安生,罗志强.重掺碲(100)GaSb单晶的研制[J]稀有金属.2000,(05)
[5]郑安生,钱嘉裕,韩庆斌,邓志杰.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态[J]稀有金属.2000,(05)
[6]陈坚邦,郑安生.LEC < 111 > 磷化镓晶片缺陷的观察[J]稀有金属.1999,(05)
[7]邓志杰,郑安生,屠海令,武希康.MLEC锑化镓单晶性能研究[J]稀有金属.1996,(06)
[8]邓志杰,郑安生,武希康,屠海令.p型GaSb单晶研制[J]稀有金属.1992,(03)
[9]邓志杰,郑安生,武希康,屠海令.水平磁场中 GaSb 单晶的生长[J]稀有金属.1993,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]郑安生;钱嘉裕;韩庆斌;邓志杰;.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态[A].海峡两岸第七届照明科技与营销研讨会专题报告文集.2000-12-01
[2]屠海令;郑安生;张峰翊;邓志杰;王永鸿;钱嘉裕;韩庆彬;陈坚邦;.砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
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