翟福义
【姓名】 翟福义
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶,旋涡缺陷,n型,成品率,硅单晶,热场,氧沉淀,缺陷密度,金属研究,电阻率,成核温度,停炉,纵向电阻率,退火工序,晶体,拉晶,收尾,旋涡,碳含量,分凝效应,
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】
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[1]曾世铭,张鲁,何林,屠海令,翟福义.提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究[J]稀有金属.1990,(03)
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