吴志强
【姓名】 吴志强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 控氧技术,Φ200mm硅单晶,硅单晶,氧径向均匀性,氧含量,系统操作参数表,Φ125mm硅单晶,300mm,磁场,热场,坩埚,无位错,热屏,石英坩埚转速,熔体,晶转速度,拉晶,300mm硅单晶,工艺参...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]邓树军;高宇;姜舰;戴小林;吴志强;刘冰;.热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析[J]半导体技术.2010,(12)
[2]姜舰;邓树军;戴小林;吴志强;朱秦发;刘冰;.大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化[J]稀有金属.2010,(06)
[3]张果虎,吴志强,方锋,秦福,常青,周旗钢,屠海令.300mm硅单晶的生长技术[J]半导体学报.2001,(03)
[4]张果虎,常青,方锋,吴志强,郝玉清,秦福.Φ125mm硅单晶的控氧技术[J]稀有金属.1997,(05)
[5]张果虎,常青,方锋,吴志强,周旗钢.Φ200mm硅单晶的生长工艺特点[J]稀有金属.1998,(01)
[6]郝玉清,张果虎,常青,方锋,吴志强,万关良,秦福.Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究[J]稀有金属.1998,(06)
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