万群
【姓名】 万群
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;冶金工业;工业经济;
【研究方向】
【发表文献关键词】 量子微结构,有色总公司,ULSI,化合物半导体,发展战略,微粗糙度,战略,硅材料,量子阱,单晶,抛光片,大直径硅片,大直径,砷化镓晶片表面,半导,金属研究,表面损伤,总公司,拉晶,砷化镓,局性,卢瑟福...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]李英春;万群;秦福;.对坩埚中硅熔体自由表面流的研究[J]稀有金属.1989,(02)
[2]万群.半导体的巨星——砷化镓[J]金属世界.2001,(02)
[3]万群.砷化镓的市场发展形势看好[J]世界有色金属.1999,(03)
[4]万群.不带灯泡的电灯[J]金属世界.1999,(01)
[5]万群.半导体硅材料的高速发展[J]世界有色金属.1996,(10)
[6]万群.量子微结构与化合物半导体[J]稀有金属.1997,(01)
[7]万群.ULSI用硅片的缺陷与表面质量[J]稀有金属.1997,(03)
[8]万群.关于有色总公司发展战略的几点思考[J]世界有色金属.1997,(02)
[9]董国全,万群,陈坚邦.GaAs抛光表面损伤的RBS研究[J]稀有金属.1998,(04)
[10]万群.进入大直径时代的硅材料产业[J]世界有色金属.1998,(05)
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