谭伟时
【姓名】 谭伟时
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 区熔,无漩涡缺陷生长技术,无位错单晶硅,大直径,大直径单晶硅,硅单晶,探测器级,单晶生长,区熔硅,真空提纯,漩涡缺陷,晶向,单晶,熔区,生长工艺,线圈,p型,返渣,线圈尺寸,提纯效果,无位错,成晶,反...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】
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[1]孙华英，陈勇刚，周旗钢，任晓东，谭伟时，孙德林.大直径p型探测器级硅单晶的研制[J]稀有金属.1995,(06)
[2]谭伟时,陈勇刚,孙华英,周旗钢.大直径〈100〉区熔硅单晶生长的特点[J]稀有金属.1997,(05)
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