施益和
【姓名】 施益和
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 掺稀土离子,电子辐照缺陷,稀土掺杂,GaAs,液相外延,n型,萤光,表观激活能,稀土离子,谱图,引入率,原子位移,DLTS,电子辐照,反冲能,外延层,退火温度,晶格原子,半导体,双空位,发光线,发光晶...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]姚秀琛,元民华,秦国刚,丁墨元,施益和,钱思敏.n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究[J]半导体学报.1985,(03)
[2]施益和,李韻仪,丁墨元.Ⅲ—Ⅴ族半导体掺稀土离子的材料[J]人工晶体.1988,(Z1)
[3]施益和,李韻仪,李双喜,丁墨元,周济,袁佑荣.LPE-GaAs掺Er的研究[J]电子学报.1993,(02)
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