罗守礼
【姓名】 罗守礼
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 正电子湮没,籽晶,掺锂,电子辐照,深能级,无位错,半导体,区熔,成晶,硅单晶,无位错单晶,双空位,真空,退火温度,增强因子,辐照缺陷,电压波动,CZ硅,正电子,自由电子气,金属研究,正电子寿命,转肩,...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/4 0 1 0 2 152
中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]邱万川;王少阶;罗守礼;郭云英;王荣敏;何元金;.无位错区熔Si单晶中的微缺陷对正电子寿命的影响[J]真空科学与技术.1984,(02)
[2]邱万川,王少阶,罗守礼.半导体中的正电子湮没研究[J]核技术.1985,(08)
[3]蒋泉,罗守礼.〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响[J]稀有金属.1986,(01)
[4]姚秀琛,元民华,贾陶涛,罗守礼,兰李桥,秦国刚.电子辐照掺锂硅中深能级[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1989,(06)
更多