刘锡田
【姓名】 刘锡田
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶,体单晶,化合物半导体,高压液封直拉法,体单晶生长,宽禁带,GaAs,砷化镓单晶,金属研究,发光材料,发光二极管,半绝缘,高压单晶炉,GaAS,发光效率,原子分数,高速大规模集成电路,拉晶,热场,...
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】
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[1]刘锡田;.GaAs等化合物半导体的现状与发展趋势[J]稀有金属.1989,(02)
[2]刘锡田.GaAs和GaP单晶的生产与应用[J]稀有金属.1997,(04)
[3]刘锡田,王永鸿,俞斌才,邓志杰,马碧春,马三胜,孙天亮,王惠林,李其胜,武希康,杨蕴华.Φ50毫米〈1O0〉不掺杂高纯半绝缘砷化镓单晶[J]稀有金属.1985,(03)
[4]刘锡田.超高速大规模集成电路用SI-GaAs材料的现状及展望[J]稀有金属.1986,(04)
[5]刘锡田.化合物半导体发光在工业上的应用[J]稀有金属.1990,(01)
[6]刘锡田.化合物半导体材料的现状与展望[J]稀有金属.1992,(06)
[7]俞斌才,邓志杰,马三胜,刘锡田.n型<100>掺硫GaP单晶研制[J]稀有金属.1992,(06)
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