胡本纲
【姓名】 胡本纲
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 溅射制备,超导薄膜,磁控,相组,晶格参数,亚稳,高Tc,溅射,沉积参数,金属研究,超导态,直流磁控,射线衍射,低温物理,基体温度,化学计量比,溅射区,电阻比,依赖性,溅射装置,
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]杨秉川,王超群,胡本纲,胡祥云.用DC-磁控溅射制备的高T_c A15 Nb_3Ge超导薄膜的研究[J]低温物理.1985,(01)
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