冯泉林
【姓名】 冯泉林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 洁净区,氧沉淀,单晶硅片,内吸杂,RTA,退火气氛,金属沾污,吸杂技术,高密度,集成电路制造工艺,有源区,栅氧化物,工艺参数,降温速率,退火处理,点缺陷,浓度分布,器件工艺,恒温时间,内间隙,
【工作单位】 北京有色金属研究总院
【曾工作单位】 北京有色金属研究总院;
【所在地域】 北京
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[1]冯泉林;史训达;刘斌;刘佐星;王敬;周旗钢;.快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响[J]半导体学报.2006,(01)
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