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崔玉成
【姓名】
崔玉成
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
砷化铟,光峰,样片,单晶生长,掺锡,光致发光光谱,热处理,磷化,单晶,发光中心,热处理温度,拉晶,发光光谱,复合体,光致发光,抛光面,载流子浓度,孪生现象,物理系,位错,硬化效应,直接合成,薄层,电子...
【工作单位】
北京有色金属研究总院
【曾工作单位】
北京有色金属研究总院;
【所在地域】
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共找到2篇
[1]崔玉成.
LEC法生长砷化铟单晶
[J]稀有金属.1996,(03)
[2]林昭烟,张丽珠,任宏,许惠英,张伯蕊,秦国刚,崔玉成.
热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究
[J]半导体学报.1984,(05)
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