赵汝权
【姓名】 赵汝权
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Si过渡态,非加固,XPS深度剖析,电离辐照,层模型,抗辐射加固,界面区,工艺制备,辐照,深度剖析,P型硅,过渡态,n型,氧化层,衬底杂质浓度,硅衬底,深度分布,三层模型,陷阱,氧化速率,
【工作单位】 北京市理化分析测试中心
【曾工作单位】 北京市理化分析测试中心;
【所在地域】 北京
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[1]刘昶时,赵元富,刘芬,陈萦,王忠燕,赵汝权.抗辐射加固与非加固工艺制备Si/SiO_2电离辐照的XPS深度剖析[J]核技术.1992,(09)
[2]刘芬,王忠燕,陈萦,赵汝权,胡兴中.用俄歇参数法研究SiO_2/Si界面层硅元素过渡态[J]分析测试学报.1993,(06)
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