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姜楠
【姓名】
姜楠
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】
C模型,参数提取,区域化,CMOS工艺,模型参数值,可缩放性,异质结双极晶体管,砷化镓,单管,器件模型,CMOS器件,区间,BSIM3,提取方法,近似处理,计算参数,缩放系数,取参数,InGaP/Ga...
【工作单位】
爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司
【曾工作单位】
爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司;
【所在地域】
上海
学术成果产出统计表
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共找到2篇
[1]张少勇,黄风义,池毓宋,吴忠洁,姜楠.
基于区域化的CMOS模型参数提取方法
[J]电气电子教学学报.2005,(03)
[2]黄风义,孔晓明,蒋俊洁,姜楠.
砷化镓HBT的VBIC模型研究
[J]东南大学学报(自然科学版).2005,(02)
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