林罡
【姓名】 林罡
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;工业经济;
【研究方向】
【发表文献关键词】 毫米波固态器件,毫米波模块电路,砷化镓单片,开关器件,标准工艺,毫米波集成电路,砷化镓,膺配高电子迁移率晶体管,二维电子气,结构设计,异质结器件,模块技术,毫米波,工艺成品率,沟道,HEMT,截止频率...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/30 21 2 2 127 6407
中国期刊全文数据库    共找到39篇
[1]李世权;蔡利康;林罡;章军云;.基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究[J]电子技术应用.2026,(01)
[2]白霖;林伟杰;林罡;邵国键;任春江;刘柱;.基于EMMI定位的GaN HEMT耐正向可靠性研究[J]固体电子学研究与进展.2023,(01)
[3]林罡;.GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障[J]固体电子学研究与进展.2023,(02)
[4]邵国键;陈正廉;林罡;张茗川;王云燕;刘柱;陈韬;.失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究[J]固体电子学研究与进展.2021,(06)
[5]代鲲鹏;张凯;李传皓;范道雨;步绍姜;吴少兵;林罡;陈堂胜;.截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计[J]固体电子学研究与进展.2022,(01)
[6]宋明宣;林罡;刘鹏飞;张洪泽;.硅基异构集成模块金属互连失效分析[J]固体电子学研究与进展.2022,(01)
[7]邵国键;陈正廉;林罡;俞勇;沈杰;陈韬;刘柱;.栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究[J]固体电子学研究与进展.2022,(03)
[8]邵国键;林罡;白霖;施尚;周舟;魏星;刘柱;陈韬;.帽层结构对GaN HEMT器件性能的影响[J]固体电子学研究与进展.2020,(06)
[9]施尚;林罡;孙军;邵国健;周书同;陈堂胜;.GaN HEMT器件稳态热特性试验研究[J]固体电子学研究与进展.2021,(01)
[10]陈金远;焦芳;王逸铭;林罡;.GaAs多功能MMIC在片测试系统设计[J]电子与封装.2021,(03)
更多
中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]王帅;钟世昌;王云燕;林罡;.高效星载用250W S波段GaN功率管[A].2020年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2020-09-20
[2]栗锐;王义;林罡;陈堂胜;.干法栅挖槽GaAs HFET功率管[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16
更多