贾高升
【姓名】 贾高升
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 金属-氧化物-半导体器件,直接隧穿栅电流,比例差分谱,多缺陷,超薄栅氧化层,,超薄栅氧化层,PMOSFET,负偏压温度不稳定性(NBTI),退化,恢复效应,阈值电压漂移,栅电流,时间常数,应力,缺陷密...
【工作单位】 北京大学
【曾工作单位】 北京大学;
【所在地域】 北京海淀
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[1]贾高升;许铭真;谭长华;段小蓉;.用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷[J]固体电子学研究与进展.2006,(04)
[2]贾高升;许铭真;.用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性[J]中国集成电路.2007,(04)
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