任树洋
【姓名】 任树洋
【职称】 教授;
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;材料科学;
【研究方向】 强磁场下材料制备
【发表文献关键词】 MgB2,制备工艺,元素掺杂,强磁场,临界电流密度,高温氧化物超导体,研究进展,非晶态,质子照射,样品,物理场,载流能力,重要表征,高场,试样,临界温度,制备方法,数量级,添加,纯度,
【工作单位】 上海大学
【曾工作单位】 上海大学;
【所在地域】 上海
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[1]任树洋;任忠鸣;任维丽;.晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究[J]物理学报.2011,(01)
[2]任树洋;任忠鸣;任维丽;操光辉;.3T强磁场对真空蒸发Zn薄膜晶体结构的影响[J]物理学报.2009,(08)
[3]赵安昆;任忠鸣;任树洋;操光辉;任维丽;.强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响[J]物理学报.2009,(10)
[4]任树洋;任忠鸣;任维丽;操光辉;.强磁场下真空蒸发Zn薄膜晶粒细化研究[J]真空科学与技术学报.2009,(05)
[5]秦正平;俞坚;任树洋;蔡传兵;曹世勋;任忠鸣;张金仓;.强磁场诱导生长MgB_2超导体的磁各向异性研究[J]低温物理学报.2009,(04)
[6]任树洋;任忠鸣;任维丽;.应用强磁场控制Zn薄膜取向研究[J]真空科学与技术学报.2010,(04)
[7]任树洋;任忠鸣;任维丽;.Zn取向对氧化法制备ZnO薄膜光致发光性能的影响研究[J]功能材料.2010,(12)
[8]任树洋;任忠鸣;任维丽;张金仓;池长昀;.提高MgB_2超导体临界电流密度的研究进展[J]材料导报.2006,(11)
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