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陈新安
【姓名】
陈新安
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;材料科学;建筑科学与工程;
【研究方向】
【发表文献关键词】
Si-Si直接键合,抽取效应,本征SiO_2,杂质分布,Si/Si直接键合,界面应力,模型,模拟软件,杂质扩散系数,剪切应力,剥离应力,正应力,硅片,热应力,界面,分布模型,本征氧化层,杂质浓度分布,...
【工作单位】
绍兴文理学院
【曾工作单位】
绍兴文理学院;
【所在地域】
浙江绍兴
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
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总被引频次
总下载频次
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学术成果产出明细表
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共找到4篇
[1]霍玉苓;陈新安;.
一种40Mbps传输速率的光纤数据接口芯片设计
[J]集成电路应用.2024,(03)
[2]鄢细根;何火军;陈新安;.
直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟
[J]微纳电子技术.2012,(02)
[3]陈新安;黄庆安;.
Si-Si直接键合的杂质分布
[J]半导体学报.2006,(11)
[4]陈新安;黄庆安;.
Si/Si直接键合界面热应力模型及模拟
[J]微纳电子技术.2006,(11)
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