李荣强
【姓名】 李荣强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】 模拟集成电路工艺研究
【发表文献关键词】 BiCMOS工艺,互补双极工艺,D/A转换器,数字/模拟,介质隔离,深槽,模拟集成电路,混合电路,模拟IC,锗硅低噪声放大器,S参数,测试基座,测试系统,分子束外延,差分外延,锗硅异质结双极晶体管,低...
【工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所;
【所在地域】 重庆
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[2]唐昭焕;甘明富;钟怡;谭开洲;刘勇;杨永晖;胡刚毅;徐学良;李荣强;.基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计[J]微电子学.2011,(02)
[3]唐昭焕;王大平;梁涛;李荣强;王斌;任芳;崔伟;谭开洲;.双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究[J]微电子学.2012,(02)
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[6]蒲林;刘伦才;李荣强;刘道广;张静;谭开洲;.一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究[J]微电子学.2006,(05)
[7]许云;廖良;李荣强;.一种高精度低压差电压调整器[J]微电子学.2006,(06)
[8]何开全,谭开洲,李荣强.高性能模拟集成电路工艺技术[J]微电子学.2004,(04)
[9]李荣强,石建刚,何开全.一种16位高速D/A转换器的研究[J]微电子学.2004,(06)
[10]刘道广,郝跃,徐世六,刘玉奎,何开全,刘嵘侃,张静,刘伦才,徐婉静,李荣强,陈光炳,徐学良,徐学良.基于MBE的f_(max)为157GHz的SiGe HBT器件[J]半导体学报.2005,(03)
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