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杨帅
【姓名】
杨帅
【职称】
讲师;
【研究领域】
物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
半导体材料缺陷研究
【发表文献关键词】
中子辐照,热施主,直拉硅,辐照缺陷,辐照剂量,快速热处理,预热处理,载流子浓度,预处理,样品,电阻率,氧含量,施主浓度,气氛,间隙,退火时间,抑制作用,热中子,变化规律,探针测量,
【工作单位】
天津理工大学
【曾工作单位】
天津理工大学;
【所在地域】
天津
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
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被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到11篇
[1]邓晓冉;杨帅;.
基于Bell态的高效量子秘密共享
[J]河北师范大学学报(自然科学版).2014,(04)
[2]杨帅;陈贵锋;王永;.
快中子辐照直拉硅中非晶区的FTIR研究
[J]硅酸盐通报.2014,(10)
[3]邓晓冉;杨帅;.
均匀物质为工作物质的卡诺循环效率的推证
[J]天津职业技术师范大学学报.2013,(04)
[4]杨帅;邓晓冉;徐建萍;陈贵锋;张辉;.
中子辐照剂量对直拉硅中VO退火行为的影响
[J]硅酸盐通报.2013,(02)
[5]杨帅;徐建萍;邓晓冉;陈贵锋;.
快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷
[J]硅酸盐学报.2013,(06)
[6]邓晓冉;杨帅;.
浅谈大学物理实验教学改革
[J]大学物理实验.2009,(01)
[7]邓晓冉;杨帅;闫凤利;.
利用三粒子纠缠态的量子秘密共享
[J]天津工程师范学院学报.2010,(01)
[8]杨帅;邓晓冉;徐建萍;陈贵锋;闫文博;.
快中子辐照硅中双空位的退火行为研究
[J]硅酸盐通报.2010,(04)
[9]邓晓冉;杨帅;闫凤利;.
利用N粒子纠缠态的量子秘密共享
[J]光子学报.2010,(11)
[10]邓晓冉;杨帅;.
热预处理对中子辐照直拉硅中热施主的影响
[J]半导体学报.2007,(02)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到3篇
[1]杨帅.
基于STM32的液晶空间光调制器输入信号系统的研究
[D].天津理工大学.2023
[2]杨帅.
血管介入手术机器人除颤策略以及时延误差预测控制方法的研究
[D].天津理工大学.2021
[3]杨帅.
基于陀螺仪的大管径管内爬壁机器人定位系统的分析与设计
[D].天津理工大学.2019
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研究方向相近的学者
(学者,学者单位)
陈昆
北京大学
刘健
北京科技大学
刘键
北京科技大学
李继国
河北半导体研究所
周荷秀
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路金印
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李锐
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薛申芳
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牛萍娟
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合作过的学者
(学者,学者单位,篇数)
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该学者文献引用过的学者
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