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【姓名】	蒋中伟
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	分子束外延,生长中断,超晶格,掠入射X射线反射,中断时间,界面粗糙度,下界面,异质结,保护,样品,显微镜下,界面质量,界面生长,生长过程,均方根粗糙度,平整,测量,双晶衍射,反射系数,多层膜,
【工作单位】	中国科学院物理研究所
【曾工作单位】	中国科学院物理研究所;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到9篇

[1]蒋中伟;王文新;高汉超;李辉;何涛;杨成良;陈弘;周均铭;.GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长[J]物理学报.2009,(01)

[2]吴殿仲;王文新;杨成良;蒋中伟;高汉超;田海涛;陈弘;姜宏伟;.带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的发光与光电响应[J]发光学报.2009,(02)

[3]高汉超;温才;王文新;蒋中伟;田海涛;何涛;李辉;陈弘;.AlGaSb/GaSb quantum wells grown on an optimized AlSb nucleation layer[J]半导体学报.2010,(05)

[4]李志华;王文新;刘林生;蒋中伟;高汉超;周均铭;.As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响[J]物理学报.2007,(03)

[5]刘林生;刘肃;王文新;赵宏鸣;刘宝利;高汉超;蒋中伟;王佳;黄庆安;陈弘;周均铭;.GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫[J]半导体学报.2007,(06)

[6]刘林生;刘肃;王文新;赵宏鸣;刘宝利;蒋中伟;高汉超;王佳;陈弘;周均铭;.半导体自旋电子学的研究与应用进展[J]电子器件.2007,(03)

[7]刘林生;刘肃;王文新;赵宏鸣;刘宝利;蒋中伟;高汉超;王佳;黄庆安;陈弘;周均铭;.GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性[J]光学精密工程.2007,(05)

[8]刘林生;刘肃;王文新;赵宏鸣;刘宝利;蒋中伟;高汉超;王佳;黄庆安;陈弘;周均铭;.关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究[J]物理学报.2007,(06)

[9]刘林生;王文新;刘肃;赵宏鸣;刘宝利;蒋中伟;高汉超;王佳;黄庆安;陈弘;周均铭;.用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料[J]半导体学报.2007,(09)

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