周明秀
【姓名】 周明秀
【职称】
【研究领域】 物理学;化学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 O2,密度泛函理论,吸附位置,表面,理论研究,周期性边界条件,计算结果,广义梯度近似,理论模型,超软赝势,反应机制,反应产物,占位,建立,最佳,采用,支持,通过,进行,Si(001)-(2×2×1),
【工作单位】 四川师范大学
【曾工作单位】 四川师范大学;
【所在地域】 成都
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]周明秀;杨春;郁卫飞;李金山;.多孔硅表面Si—OH结构的研究[J]四川师范大学学报(自然科学版).2006,(04)
[2]邓小燕;杨春;周明秀;郁卫飞;李金山;.Si(001)-(2×2×1):H表面O_2吸附的密度泛函理论研究(英文)[J]Chinese Journal of Chemical Physics.2006,(06)
[3]杨春;廖子夷;余毅;周明秀;郁卫飞;黄辉;.Si表面Si-OH、SiO_2结构的LDA与GGA研究[J]深圳大学学报(理工版).2008,(02)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]周明秀.硅及多孔硅表面Si-OH、SiO_2结构的理论研究[D].四川师范大学.2006
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