陆静学
【姓名】 陆静学
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低噪声放大器,CMOS工艺,噪声优化,电感模型,噪声系数,线性度,参数提取,电路仿真,输入匹配,片上电感,设计,电路功耗,功率增益,测试数据,片上螺旋电感,参考平面,芯片系统,测试结果,输入阻抗,功率...
【工作单位】 东南大学
【曾工作单位】 东南大学;
【所在地域】 南京
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[1]陆静学;黄风义;王志功;吴文刚;.MOSFET表面势解析近似方法的改进(英文)[J]半导体学报.2006,(07)
[2]蒋东铭;黄风义;陆静学;赵亮;.用于802.11a系统的5.8GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计[J]电子器件.2007,(02)
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