郭杨
【姓名】 郭杨
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 直拉单晶硅,氧沉淀,消融,再生长,退火温度,退火过程,硅片,不同温度,生长行为,高温,浓度变化,快速热处理,体微缺陷,密度变化,氧浓度,间隙氧,硅中氧,常规,处理时间,样品,
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[2]符黎明;杨德仁;马向阳;郭杨;阙端麟;.直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长[J]半导体学报.2007,(01)
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