王新中
【姓名】 王新中
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 分子束外延,Ⅲ/Ⅴ比,PL谱,黄带发光,射频等离子体,重掺杂,补偿效应,杂质态,生长,样品,外延层,材料特性,发光特性,掺杂浓度,缺陷态,半峰全宽,辅助,温度,质量下降,光致发光,
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]曹明霞;于广辉;王新中;林朝通;卢海峰;巩航;.湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度[J]半导体技术.2009,(12)
[2]隋妍萍;于广辉;孟胜;雷本亮;王笑龙;王新中;齐鸣;.射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光[J]发光学报.2006,(06)
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[1]于广辉;王笑龙;王新中;林朝通;曹明霞;齐鸣;李爱珍;.氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究[A].中国光学学会2006年学术大会论文摘要集.2006-09-01
[2]于广辉;林朝通;王新中;曹明霞;雷本亮;齐鸣;李爱珍;.厚膜氮化镓材料的HVPE生长[A].第11届全国发光学学术会议论文摘要集.2007-08-01
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