黄应龙
【姓名】 黄应龙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单稳态-双稳态转换逻辑单元,共振隧穿二极管,高电子迁移率晶体管,InGaAs,集成逻辑电路,单片集成电路,分子束外延技术,阈值电压,电流密度,电流比,电路逻辑,运行频率,采用,实验结果,峰谷,栅长,底...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]马龙;黄应龙;张杨;王良臣;杨富华;曾一平;.用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作(英文)[J]半导体学报.2006,(06)
[2]马龙;黄应龙;余洪敏;王良臣;杨富华;.基于共振隧穿二极管的集成电路研究[J]电子器件.2006,(03)
[3]马龙;王良臣;黄应龙;杨富华;.基于RTD与CMOS的新型数字电路设计[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[4]戴扬;黄应龙;刘伟;马龙;杨富华;王良臣;曾一平;郑厚植;.一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路(英文)[J]半导体学报.2007,(03)
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