孟庆凯
【姓名】 孟庆凯
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化钒薄膜,物相,真空度,退火温度,低真空,真空退火,高真空,热致相变,相关性,晶粒尺寸,真空蒸发,质量分数,还原性,工艺制备,结晶取向,室温电阻,温度升高,关系曲线,测试结果,射线,
【工作单位】 四川大学
【曾工作单位】 四川大学;
【所在地域】 四川成都
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[1]王玲珑;孟庆凯;何捷;郭英杰;苏瑞;陈家胜;.1.0 MeV电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与光谱改变研究[J]光散射学报.2010,(02)
[2]刘中华;何捷;孟庆凯;王静;.退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性[J]硅酸盐学报.2007,(03)
[3]孟庆凯;何捷;刘中华;张雷;宋婷婷;孙鹏;.电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变[J]光散射学报.2008,(01)
[4]宋婷婷;何捷;孟庆凯;孙鹏;张雷;林理彬;.金红石型二氧化钒的电子结构及光电性质的计算[J]计算物理.2008,(03)
[5]孟庆凯;何捷;刘中华;张雷;宋婷婷;孙鹏;.电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变[J]硅酸盐学报.2008,(05)
[6]宋婷婷;何捷;孟庆凯;孙鹏;.二氧化钒的电子结构及光学性质计算[J]光散射学报.2008,(02)
[7]刘中华;何捷;孟庆凯;张雷;宋婷婷;孙鹏;.真空度对VO_2(B)型薄膜制备及光电特性的影响[J]中国激光.2008,(09)
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