杨广林
【姓名】 杨广林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电离辐照,PHEMT,界面态,低频噪声,异质结界面,漏电流,辐照效应,性能影响,辐照前,沟道,器件性能,噪声功率谱密度,退化,电离辐射效应,辐照实验,主要原因,特性,迁移率,测量,器件结构,
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 陕西西安
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[2]杨广林;杜磊;庄奕琪;何亮;胡瑾;刘宇安;.PHEMT电离辐照效应研究[J]传感技术学报.2006,(05)
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[1]杨广林.砷化镓基半导体材料抗辐照噪声表征参量研究[D].西安电子科技大学.2007
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