税国华
【姓名】 税国华
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 双极工艺整合相关研究
【发表文献关键词】 真空键合,退火,SOI,全介质隔离,深槽刻蚀,MEMS,IC工艺,多晶硅,三层结构,化学机械抛光,平坦化,湿法腐蚀,平坦化技术,功率器件,离子注入,硼基区,微机械结构,集成电路工艺,MEMS器件,窄沟...
【工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所;
【所在地域】 重庆
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[9]杨国渝,税国华,张正元,温志渝.真空键合技术制作三层结构的MEMS器件的研究[J]微纳电子技术.2003,(Z1)
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