胡永达
【姓名】 胡永达
【职称】
【研究领域】 电力工业;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 半导体技术,化学镀Ni-P,纯锡凸点,高温回流,Ni_3Sn_4金属间化合物,剪切强度,回流时间,断裂模式,焊料凸点,韧性断裂,块状转变,回流温度,阻挡层,反应速度,倒装芯片,剪切断裂,反应生成,压应...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]朱大鹏;王立春;胡永达;罗乐;.化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究[J]电子元件与材料.2006,(11)
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