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【姓名】	刘兴昉
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;化学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】	3C-SiC,异质外延生长,水平热壁CVD,均匀性,外延膜,利用水平,方块电阻,半高宽,特征峰,衬底,低压,射线衍射,设备,流速,压力,改进,电学,改变,获得,分析,
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到25篇

[1]董林;孙国胜;俞军;郑柳;刘兴昉;张峰;闫果果;李锡光;王占国;杨霏;.Characterization of Obtuse Triangular Defects on 4H-SiC 4° off-Axis Epitaxial Wafers[J]Chinese Physics Letters.2013,(09)

[2]刘斌;孙国胜;刘兴昉;张峰;董林;郑柳;闫果果;刘胜北;赵万顺;王雷;曾一平;李锡光;王占国;杨霏;.Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4° off-Axis Substrates in a SiH_4-C_2H_4-H_2 System[J]Chinese Physics Letters.2013,(12)

[3]汪久龙;赵思齐;李云凯;闫果果;申占伟;赵万顺;王雷;关敏;刘兴昉;孙国胜;曾一平;.无偏角4H-SiC同质外延温场分布系数的仿真及实验研究[J]半导体光电.2022,(05)

[4]温正欣;张峰;申占伟;陈俊;何亚伟;闫果果;刘兴昉;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平;.Design and fabrication of 10-kV silicon–carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension[J]Chinese Physics B.2019,(06)

[5]田丽欣;张峰;申占伟;闫果果;刘兴昉;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平;.Influences of annealing on structural and compositional properties of Al_2O_3 thin films grown on 4H–SiC by atomic layer deposition[J]Chinese Physics B.2016,(12)

[6]袁超;关敏;张杨;李弋洋;刘兴昉;刘爽杰;曾一平;.利用变温瞬态电致发光研究OLED载流子的输运机理[J]发光学报.2017,(10)

[7]刘兴昉;闫果果;桑玲;郑柳;钮应喜;王嘉铭;张峰;杨霏;杨香;樊中朝;孙国胜;曾一平;温家良;何志;.P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究[J]智能电网.2017,(08)

[8]申占伟;张峰;Sima Dimitrijev;韩吉胜;闫果果;温正欣;赵万顺;王雷;刘兴昉;孙国胜;曾一平;.Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H–SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO[J]Chinese Physics B.2017,(10)

[9]闫果果;张峰;钮应喜;杨霏;刘兴昉;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;.氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究[J]半导体光电.2016,(03)

[10]闫果果;张峰;钮应喜;杨霏;刘兴昉;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;.Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD[J]Journal of Semiconductors.2016,(06)

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